一种用于CVD反应器的喷嘴装置及CVD反应器
基本信息
| 申请号 | CN202120890855.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215757598U | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN215757598U | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 于伟华;朱建中;鞠德胜;万荣群 | 申请（专利权）人 | 无锡海飞凌半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市精英专利事务所 | 代理人 | 李莹 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市宜兴经济技术开发区杏里路10号宜兴光电产业园1幢201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型实施例公开了一种用于CVD反应器的喷嘴装置及CVD反应器，涉及CVD反应设备技术领域。该喷嘴装置包括第一喷嘴以及第二喷嘴；第一喷嘴的底部设有第一空腔，第一喷嘴的顶部设有多个连通第一空腔的气体流出通道；第二喷嘴的顶部设有第二空腔，第二喷嘴的底部设有多个连通第二空腔的气体流入通道；第一喷嘴的底部与第二喷嘴的顶部可拆卸连接，且在第一喷嘴的底部与第二喷嘴的顶部连接后，第一空腔与第二空腔合并为气体混合室。本实用新型一方面，可确保反应气体能够在气体混合室内混合均匀，另一方面可确保混合气体能够均匀排出。同时，原料气体在进入到气体混合室之前还未接触，不会发生反应，可有效避免气体流入通道的堵塞。 |
