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一种碳化硅涂层及其过渡层和制备方法

基本信息

申请号	CN202110448539.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113151800A	公开（公告）日	2021-07-23
申请公布号	CN113151800A	申请公布日	2021-07-23
分类号	C23C16/02;C23C16/32	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	于伟华;朱建中;鞠德胜;万荣群	申请（专利权）人	无锡海飞凌半导体材料有限公司
代理机构	深圳市精英专利事务所	代理人	李莹
地址	214000 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区杏里路10号宜兴光电产业园1幢201室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种碳化硅涂层及其过渡层和制备方法，涉及表面处理技术领域。过渡层的制备方法包括：将硅改性酚醛树脂以及活性炭添加到溶剂中，制备混合试剂；将混合试剂均匀涂覆到基材表面，并烘干；将基材放入CVD反应器内，抽真空至0.1‑1mbar；在惰性气体保护下升温至650‑850℃后保温，同时，保持CVD反应器内的压力为80‑200mbar；在保温0.5‑2小时后，保持反应器内压力不变，升温至1300‑1400℃后，保温2.5‑4小时；降温至550‑750℃；在反应器内通入空气进行吹扫，并保温3‑5小时。通过在基材表面设置一层多孔结构的过渡层，可在沉积碳化硅时增加基材与碳化硅之间的结合力，使得碳化硅涂层更加致密，降低涂层表面粗糙度，并且有利于将基材和外部环境隔绝，避免基材的杂质带入后续的系统中。