一种复合纳米层包覆的无钴单晶正极材料及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202111143458.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114094059A | 公开(公告)日 | 2022-02-25 |
申请公布号 | CN114094059A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
分类号 | H01M4/36(2006.01)I;H01M4/48(2010.01)I;H01M4/485(2010.01)I;H01M10/052(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 许开华;侯奥林;张翔;陈玉君;张明龙;赵德 | 申请(专利权)人 | 格林美(湖北)新能源材料有限公司 |
代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 姜婷 |
地址 | 448000湖北省荆门市掇刀区迎宾大道8号(格林美新能源) | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种复合纳米层包覆的无钴单晶正极材料及其制备方法。该制备方法,包括以下步骤:将无钴前驱体与锂源混合均匀,高温退火后,粉碎过筛得到无钴基体材料一;将无钴基体材料一与含钨化合物混合均匀,高温煅烧后,得到Li2WO4包覆的无钴基体材料二;将无钴基体材料二分散到含锆源和钒源的包覆溶液中,搅拌直至蒸干,然后高温煅烧,制备得到Li2WO4及W掺杂ZrV2O7复合纳米层包覆的无钴单晶正极材料。本发明通过在无钴单晶正极材料表面预先包覆Li2WO4纳米层,随后进一步包覆ZrV2O7纳米层,使表层部分W原子进入ZrV2O7结构中形成掺杂效应,显著提升了所得无钴单晶正极材料的倍率性能及高温循环稳定性。 |
