首页/ 无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司/ 专利详情

一种消除失调电压影响的带隙基准电路

基本信息

申请号 CN202021261728.7 申请日 -
公开（公告）号 CN212135266U 公开（公告）日 2020-12-11
申请公布号 CN212135266U 申请公布日 2020-12-11
分类号 G05F1/46(2006.01)I 分类 控制；调节;
发明人 钱栋良 申请（专利权）人 无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司
代理机构 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） 代理人 无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司
地址 214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号微纳园CI座5楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型属于模拟集成电路设计领域，具体公开了一种消除失调电压影响的带隙基准电路，包括具有PMOS和NMOS输入差动对的折叠式共源共栅运放、选择器、偏置电路和双极带隙输出电路；其中，选择器由两相不交叠时钟控制，使得共源共栅运放能够在失调存储和差动放大两种工作模式之间来回切换。失调存储模式下，断开共源共栅运放与带隙输出电路之间的连接，并通过反馈将失调电压存储在NMOS差动对上；差动放大模式下，恢复共源共栅运放与带隙输出电路之间的连接，由于PMOS差动对上的失调与存储在NMOS差动对上的失调相减抵消，因此共源共栅运放仅对来自带隙输出电路的信号进行差动放大，基准不受失调电压的影响。