一种氮自掺杂碳包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用

基本信息

申请号 CN202011146146.9 申请日 -
公开(公告)号 CN112331852B 公开(公告)日 2022-03-11
申请公布号 CN112331852B 申请公布日 2022-03-11
分类号 H01M4/62(2006.01)I;H01M4/48(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张亚光;王振 申请(专利权)人 浙江锂宸新材料科技有限公司
代理机构 浙江千克知识产权代理有限公司 代理人 冷红梅
地址 313000浙江省湖州市长兴县经济技术开发区高铁路669号国家大学科技园12号楼236室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种氮自掺杂碳包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用,该氮自掺杂碳包覆氧化亚硅负极材料制备方法先将三甲苯中于酒精水溶液中通过嵌段共聚物与多巴胺或丙烯酸酯单体结合,再调节pH,使多巴胺/丙烯酸酯单体自聚合在三甲苯的外层,嵌段共聚物为缓冲层,再通过醇洗的方式除去嵌段共聚物和三甲苯,再通过高温碳化形成氮自掺杂碳包覆层,再以盐溶液的形式将二氧化硅放入包覆层中,再通过镁热还原反应而得到氮自掺杂碳包覆硅负极材料,其具有高理论比容量和较好的循环稳定性能,并存在一定的伸缩弹性,同时能够缓解氧化亚硅在脱嵌锂时引起的体积膨胀和收缩,有效克服了硅体积膨胀和缩小导致的损失和粉化结果。