低温度系数高使用温度烧结钐钴磁体的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910927117.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112582123A | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN112582123A | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | H01F41/02(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I;B22F9/04(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B22F3/04(2006.01)I;B22F3/24(2006.01)I;C22C30/02(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;H01F1/055(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋奎奎 | 申请（专利权）人 | 河北泛磁聚智电子元件制造有限公司 |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 史霞 |
| 地址 | 065301河北省廊坊市大厂回族自治县大福南路60号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低温度系数高使用温度烧结钐钴磁体的制备方法，包括：1)铸锭a和b的制备；2)粉末的制备；3)粉末的混合；4)磁场成型、等静压；5)烧结固溶、时效处理。本发明将合金铸锭a(高温磁体)和铸锭b(低温度系数磁体)按照合适的比例进行制粉，然后混粉、压制、热处理，制备的烧结钐钴磁体同时具有低温度系数和高使用温度的双重特性。 |
