一种适用于RIE制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法

基本信息

申请号 CN201511022694.X 申请日 -
公开(公告)号 CN105449045B 公开(公告)日 2017-03-22
申请公布号 CN105449045B 申请公布日 2017-03-22
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 解观超;刘金浩;上官泉元 申请(专利权)人 江西比太科技有限公司
代理机构 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 江西比太科技有限公司
地址 330096 江西省南昌市高新技术产业开发区京东大道1189号高新欧洲工业园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种适用于RIE制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法。本发明采用BOE蚀刻液与双氧水混合溶液对RIE制绒后晶体硅片进行清洗。其中,双氧水的作用是在RIE制绒后硅片表面生成一层氧化层,BOE蚀刻液中的HF溶液与氧化层反应,实现微腐蚀的效果。BOE蚀刻液能保持溶液的酸度,从而保证溶液腐蚀速率的稳定性。本发明能够对RIE制绒后的硅片表面进行微腐蚀,既能实现去除表面损伤层和表面尖端结构的效果,又能控制RIE制绒后的硅片反射率的上升速度。本发明清洗工艺可在室温下进行,清洗效果重复性好,避免使用控温设备,节约生产成本。