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一种硅基吸收型电光调制器及提高调制效率的方法

基本信息

申请号 CN201810100488.3 申请日 -
公开（公告）号 CN110109266A 公开（公告）日 2019-08-09
申请公布号 CN110109266A 申请公布日 2019-08-09
分类号 G02F1/015 分类 光学;
发明人 李冰;李营营 申请（专利权）人 上海硅通半导体技术有限公司
代理机构 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 上海硅通半导体技术有限公司
地址 200438 上海市杨浦区国定路335号2号楼1011-4室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的实施例公开了一种硅基吸收型电光调制器。硅基吸收型电光调制器包括硅衬底；形成在硅衬底上的埋氧层；形成在埋氧层上的光波导；所述光波导具有一个或多个轻掺杂区，所述轻掺杂区包括掺杂N型杂质的N型轻掺杂区和掺杂P型杂区的P型轻掺杂区，其中所述N型轻掺杂区与所述P型轻掺杂区重叠。通过在波导区掺入杂质，降低载流子迁移率，从而提高吸收系数。通过在波导区同时掺入N型杂质和P型杂质，并使两种杂质完全重叠，解决在波导区掺入杂质会提高器件的光学损耗的技术问题，可以在不产生额外的损耗的情况下，降低载流子迁移率，提高吸收系数。