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SOI和体硅混合晶圆结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN201610092270.9 申请日 -
公开（公告）号 CN107039459A 公开（公告）日 2017-08-11
申请公布号 CN107039459A 申请公布日 2017-08-11
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李冰 申请（专利权）人 上海硅通半导体技术有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 200437 上海市杨浦区逸仙路135号2号楼2楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了SOI和体硅混合晶圆的结构和制备方法，以绝缘体上硅(SOI)晶圆为衬底，制备SOI结构与体硅结构共存的混合晶圆，以作为光路电路单片集成芯片的衬底。SOI结构和体硅结构并存的混合晶圆，其特征在于，混合晶圆由SOI结构部分和体硅部分混合组成；绝缘体上硅部分包括顶硅层、埋氧层和硅衬底，体硅部分为单晶硅结构；SOI区域为光路区域，体硅区域为电路区域。制备方法包括在起始SOI晶圆上依靠光刻和刻蚀产生制备体硅区域的窗口，通过常规外延的方法生长体硅区域，再通过平坦化工艺去除不需要的多晶硅使表面平整；制备方法其特征还在于在SOI区域和体硅区域间隔离的选择、外延工艺的选择和平坦化工艺的选择。