一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的检测方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的检测方法

基本信息

申请号	CN201410005195.9	申请日	-
公开（公告）号	CN103713252B	公开（公告）日	2016-06-01
申请公布号	CN103713252B	申请公布日	2016-06-01
分类号	G01R31/26(2014.01)I	分类	测量；测试;
发明人	赵妙;刘新宇;魏珂;孔欣;王兵;郑英奎;李艳奎;欧阳思华	申请（专利权）人	昆山工研院第三代半导体研究院有限公司
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	中国科学院微电子研究所
地址	100029 北京市朝阳区北土城西路3号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的检测方法，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的传输线测试图形与所述待检测GaN基半导体器件的接触电阻和薄层电阻；为串接后的传输线测试图形提供高压应力，再次获取所述接触电阻和薄层电阻，并获取串接后的多组传输线测试图形的伏安特性曲线；根据施加高压应力前后所述接触电阻和薄层电阻的稳定性以及施加高压应力后所述金丝的电子扫描显像图判定所述待检测GaN基半导体器件的欧姆接触高压可靠性。所述检测方法可用于检测GaN基HEMT欧姆接触高压可靠性。