高电子迁移率晶体管器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610632720.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106298882A | 公开（公告）日 | 2017-01-04 |
| 申请公布号 | CN106298882A | 申请公布日 | 2017-01-04 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 尹成功;裴轶 | 申请（专利权）人 | 昆山工研院第三代半导体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李进 |
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高电子迁移率晶体管器件，涉及半导体技术领域，该器件的第一介质层位于栅极与源极、漏极之间的半导体层上，第一源场板位于栅极与漏极之间的第一介质层上，第二介质层位于栅极、第一源场板和第一介质层上，第二源场板位于栅极、第一源场板上的第二介质层上，第一源场板和第二源场板削弱栅极与漏极之间靠近栅极的区域强电场，第一介质层和第二介质层在长时间应力、高电压应力下不易发生介质层失效。该器件既能削弱栅极与漏极之间靠近栅极区域存在的强电场，又能减少栅极和源场板之间的介质层发生失效的几率。本发明还提供一种高电子迁移率晶体管器件的制造方法，工艺流程简单，制得的器件可靠性高。 |
