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一种半导体器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN201510999747.7 申请日 -
公开（公告）号 CN105895667B 公开（公告）日 2019-07-23
申请公布号 CN105895667B 申请公布日 2019-07-23
分类号 H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/772 分类 基本电气元件;
发明人 刘飞航 申请（专利权）人 昆山工研院第三代半导体研究院有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 苏州能讯高能半导体有限公司
地址 215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基底；位于半导体基底上的有源区，有源区具有栅极、源极和漏极；位于半导体基底上的闭合金属环状结构，用于包围有源区并通过接收电压以形成耗尽隔离层。本发明中耗尽隔离层通过电场耗尽形成，因此不存在现有隔离工艺带来的缺陷；可通过调节施加在闭合金属环状结构上的电压以形成不同深度的耗尽隔离层，因此隔离深度可控、隔离效果好；闭合金属环状结构的厚度较薄，不会造成明显的平坦化问题，且其可靠性高、制造工艺简单、不需要精确控制、成本也较低。