一种半导体芯片的封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201610301601.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106910725A | 公开（公告）日 | 2017-06-30 |
| 申请公布号 | CN106910725A | 申请公布日 | 2017-06-30 |
| 分类号 | H01L23/373 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 裴风丽 | 申请（专利权）人 | 昆山工研院第三代半导体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苏州能讯高能半导体有限公司;昆山工研院第三代半导体研究院有限公司 |
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及微电子技术领域，提供了一种半导体芯片的封装结构，其包括：金属载体层、第一热扩散层、导热粘附层以及半导体芯片。第一热扩散层位于金属载体层上；导热粘附层位于热扩散层上；半导体芯片位于导热粘附层上；第一热扩散层至少包括石墨烯层。本发明的半导体芯片的封装结构，由于第一热扩散层含有石墨烯层，而石墨烯层的热传导具有异向性，增大了热交换的面积，解决了由于芯片热源导致的导热粘附层散热不均匀的问题，减小了芯片与金属载体层间的热阻，提高了芯片的热导出效能。 |
