一种T型栅HEMT器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201110340553.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102361010B | 公开（公告）日 | 2015-06-10 |
| 申请公布号 | CN102361010B | 申请公布日 | 2015-06-10 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 | 申请（专利权）人 | 昆山工研院第三代半导体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中国科学院微电子研究所;昆山工研院第三代半导体研究院有限公司 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀，在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场，进而降低漏压，使得器件的击穿电压升高。 |
