一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510278650.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105321993A | 公开（公告）日 | 2016-02-10 |
| 申请公布号 | CN105321993A | 申请公布日 | 2016-02-10 |
| 分类号 | H01L29/41(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 裴风丽;裴轶;张乃千 | 申请（专利权）人 | 昆山工研院第三代半导体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 苏州能讯高能半导体有限公司;昆山工研院第三代半导体研究院有限公司 |
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层中包括有源区和与所述有源区相邻的无源区；位于所述半导体层上的源极、漏极、以及位于所述源极和所述漏极之间的栅极；所述栅极、源极和漏极中至少有一种电极分成至少两段，其中一段位于所述有源区上，其中一段位于所述无源区上。本发明在半导体层中形成无源区，破坏了部分栅极、源极或/和漏极下面区域的导电沟道，使沟道产生的热量减少，即减少了半导体器件的自热，而栅极、源极和漏极的面积不变，相对而言，增大了器件的散热面积，使热量能够有效地散发出去。 |
