TMR磁场传感器
基本信息
| 申请号 | CN202011454257.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112557972A | 公开（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申请公布号 | CN112557972A | 申请公布日 | 2021-03-26 |
| 分类号 | G01R33/09(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 刘明;关蒙萌;黄豪;胡忠强;周子尧;朱家训 | 申请（专利权）人 | 珠海多创科技有限公司 |
| 代理机构 | 广东朗乾律师事务所 | 代理人 | 杨焕军;朱鹏 |
| 地址 | 519000广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5-B单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | TMR磁场传感器，包括：基片以及设置于所述基片上的一个或多个TMR磁传感器芯片，所述TMR磁传感器芯片相对于所述基片表面倾斜设置，所述TMR磁传感器芯片的易轴方向与待测的外磁场方向存在夹角。本发明的感测的是外磁场的分量，具有更大的动态测量范围，而且通过使外磁场分量集中在TMR磁传感器芯片的易轴和Z轴上，TMR磁传感器芯片主要感测易轴上的分量来进行测量，相比于把外磁场分量集中在易轴和难轴的TMR磁场传感器具有更好的线性度。 |
