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TMR磁场传感器

基本信息

申请号 CN202110479973.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113093070A 公开（公告）日 2021-07-09
申请公布号 CN113093070A 申请公布日 2021-07-09
分类号 G01R33/10（2006.01）I;G01R33/09（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 刘明;关蒙萌;黄豪;胡忠强;周子尧;朱家训 申请（专利权）人 珠海多创科技有限公司
代理机构 广东朗乾律师事务所 代理人 杨焕军
地址 519000广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5-B单元
法律状态 -

摘要

摘要 TMR磁场传感器，包括连接成全桥电路的TMR单元，全桥电路的每一个桥臂上均设置有一个TMR单元，相邻桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相反，相对桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相同，两个供电端子中一个接电源，另一个接地；至少一个负电容电路，负电容电路与某一桥臂上的TMR单元并联，负电容电路的一端与接地的供电端子相连、另一端与一个输出端子相连，负电容电路两端的等效电容和与其并联的TMR单元的寄生电容的符号相反。本发明在TMR磁场传感器中设置和TMR单元并联的负电容电路，通过负电容电路补偿推挽全桥电路的寄生电容，进而补偿推挽全桥电路的寄生电容，实现TMR磁场传感器的测量频率范围的拓展。