一种TMR芯片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110242889.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113061855A | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113061855A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/58 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘明;关蒙萌;胡忠强;朱红艳;朱家训 | 申请（专利权）人 | 珠海多创科技有限公司 |
| 代理机构 | 广东朗乾律师事务所 | 代理人 | 杨焕军 |
| 地址 | 519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5-B单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种TMR芯片的制备方法，包括以下步骤：晶圆清洗，采用有机溶剂和去离子水交替清洗晶圆，然后用惰性气体吹干晶圆，再将晶圆烘干；离子清洗，对晶圆采用惰性气体进行离子清洗；负偏压低气压磁控溅射，将晶圆放入溅射设备腔体中，使用偏压电源在晶圆和设备腔体之间施加‑200～‑2000V的负偏压，在低于0.3pa的气压条件下进行磁控溅射；退火，退火温度为250～400℃。本发明方法从TMR芯片制备过程中材料生长的全局出发，考虑了在薄膜生长中的各环节影响膜层结合力的因素，并给以针对性的解决方案，使得TMR芯片膜层结合力良好，能经受住后续微加工环节的各种考验。 |
