基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备、方法

基本信息

申请号 CN202110729112.0 申请日 -
公开(公告)号 CN113445018A 公开(公告)日 2021-09-28
申请公布号 CN113445018A 申请公布日 2021-09-28
分类号 C23C14/56(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/20(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 李方军;于春锋;张谦;彭岫麟 申请(专利权)人 山东三齐能源有限公司
代理机构 济南诚智商标专利事务所有限公司 代理人 刘乃东
地址 250220山东省济南市章丘区明水经济开发区圣福路2877号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备,沿着基材的输送方向,设备包括依次设置的上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置,进料腔、出料腔中均设有破气阀,真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2相连通且两真空镀膜室保持相同的真空状态,设备还包括真空腔内传送机构、真空腔外传送机构、工艺气体系统以及抽气系统;本设备可实现对数量较多的基材进行连续镀膜作业,工艺参数调整简单方便。本发明还提出了一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备方法,使用该方法制备的屏蔽膜层,可用于笔记本外壳、电视机外壳、手机外壳等产品上做为屏蔽膜层,起到屏蔽电磁波、防止干扰、减少电磁波辐射的作用。