一种SERS芯片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810240133.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108872186B | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN108872186B | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | G01N21/65（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 孙海龙;郭清华 | 申请（专利权）人 | 苏州英菲尼纳米科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 汪青;周敏 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区09幢406室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在凹坑内的纳米结构单元，纳米结构单元包括一个或多个金属纳米棒，金属纳米棒上部伸出凹坑。本发明通过使金属纳米棒的一端露出凹坑，裸露在外面的SERS活性物质具有高的均匀性和稳定性，本发明的制备方法简单、效率高、成本低、能大规模地生产高性能SERS芯片，能很好的满足商业化的需求。本发明制得的SERS芯片，可重复性高，热点均匀，性质稳定，可大面积生长，灵敏度高。 |
