一种SERS芯片及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN201810240142.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108645832B | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN108645832B | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | G01N21/65（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 孙海龙;郭清华 | 申请（专利权）人 | 苏州英菲尼纳米科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 汪青;周敏 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区09幢406室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了SERS基底及其制备方法和应用，SERS芯片包括SERS衬底和设置在SERS衬底表面的多个纳米结构单元，纳米结构单元包括设置在SERS衬底表面的多个凹坑、设置在凹坑内的纳米粒子聚集体，纳米结构单元还包括连接在纳米粒子聚集体表面的功能分子层，功能分子层用于将待测分子固定到纳米粒子聚集体表面。本发明通过在基底上修饰一种或多种功能分子，使得芯片具备不同的功能，从而可以用于不同的检测领域。该芯片的制备工艺简单、效率高、成本低、能大规模地生产高性能SERS芯片，能很好的满足商业化的需求。本发明制得的SERS芯片，可重复性高，热点均匀，性质稳定，可大面积生长，灵敏度高。 |
