一种MEMS压电能量收集器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310349525.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103420326B | 公开（公告）日 | 2016-03-16 |
| 申请公布号 | CN103420326B | 申请公布日 | 2016-03-16 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 欧毅;张晓雅;杨冬霞;王宪东 | 申请（专利权）人 | 重庆智慧之源科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨慧玲 |
| 地址 | 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰发展五道16号B-4号楼-2-102-4 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明创造提供一种MEMS压电能量收集器件及其制备方法，方法包括如下步骤:光刻曝光及刻蚀划片道图形；在硅衬底双面生成氮化硅；光刻曝光并刻蚀背面腐蚀窗口的氮化硅；在硅衬底正面光刻压电陶瓷片下电极图形，蒸发金层，并超声剥离；在硅衬底正面光刻并显影导电胶图形，并在其上方旋涂导电胶；在硅衬底正面压电陶瓷片下电极图形上方粘附压电陶瓷片，之后进行固化；去除多余导电胶图形；对压电陶瓷片进行减薄抛光处理，并使表面光滑；在硅衬底正面及压电陶瓷片上表面，满片蒸发金层，形成上电极；采用湿法腐蚀从硅衬底背面腐蚀形成硅悬臂梁。采用本发明提供的PZT键合技术可以大大简化器件的制作工艺难度，同时提高了器件性能。 |
