红外图像传感器及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201210521002.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102983145B | 公开（公告）日 | 2015-07-08 |
| 申请公布号 | CN102983145B | 申请公布日 | 2015-07-08 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛剑宏;唐德明;张镭 | 申请（专利权）人 | 西安极视光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司;西安极视光电科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种红外图像传感器及其形成方法，包括：提供具有CMOS控制电路的衬底；在衬底上方形成像素结构、像素结构和控制电路电连接的插栓；像素结构和所述衬底之间还形成有第一牺牲层；还包括：形成具有第一开口的第二牺牲层，覆盖像素结构，第一开口位于插栓上方；在第二牺牲层上、第一开口的侧壁和底部形成支撑层；在支撑层中形成第二开口，通过第二开口去除第一牺牲层、第二牺牲层；去除第一牺牲层、第二牺牲层后，形成封盖层，覆盖支撑层、填满第一开口、第二开口，封盖层为对红外线的透射层；在封盖层和支撑层中形成第三开口，利用物理气相沉积工艺在第三开口中形成密封层，密封第三开口。本技术方案中的封盖工艺与传统的半导体工艺兼容。 |
