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一种VAD制备高掺锗芯棒的装置及方法

基本信息

申请号 CN201810444280.3 申请日 -
公开（公告）号 CN108585470B 公开（公告）日 2021-08-20
申请公布号 CN108585470B 申请公布日 2021-08-20
分类号 C03B37/018（2006.01）I 分类 玻璃；矿棉或渣棉;
发明人 陈强;陈海斌;陈剑;李庆国 申请（专利权）人 成都富通光通信技术有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强;罗满
地址 610097四川省成都市高新西区百草路78号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种VAD制备高掺锗芯棒的装置及方法，该装置包括沉积容腔、转轴、吊杆、靶棒、芯灯和包灯，转轴设置在沉积容腔上部可绕自身轴线转动并沿竖直方向上下移动，转轴下部装有吊杆，吊杆上安装有靶棒，芯灯和包灯安装在沉积容腔下部，所述芯灯和包灯的喷嘴为八层同心环结构，每层通有不同的气体。本发明提供的一种采用VAD工艺制造高掺锗芯棒的装置及方法，解决了现有技术中VAD工艺制备高掺锗芯棒时出现的松散体开裂，芯包折射率差不达标的问题，从而可通过VAD工艺制得高掺锗芯棒，提高制造弯曲不敏感光纤预制棒的直径。