SRAM动态阵列电源控制电路
基本信息
| 申请号 | CN202110528326.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113409843A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113409843A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | G11C11/417（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 郭玮;王志超;刘云搏;丛伟林 | 申请（专利权）人 | 成都华微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘勋 |
| 地址 | 610000四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | SRAM动态阵列电源控制电路，涉及集成电路技术，本发明包括至少一个输出电压选择器，所述输出电压选择器由电流输出端相连的第一MOS管和第二MOS管构成，其中第一MOS管的电流输入端接第一电平端VDD，第二MOS管的电流输入端接第二电平端Vcc，两个MOS管的电流输出端作为输出电压选择器的输出端，与SRAM存储单元的电源线连接。本发明采用了多阈值CMOS组合设计技术，使得本发明在提高性能的同时，降低了功耗。 |
