首页/ 成都华微电子科技股份有限公司/ 专利详情

带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源

基本信息

申请号 CN202110834943.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113359929A 公开（公告）日 2021-09-07
申请公布号 CN113359929A 申请公布日 2021-09-07
分类号 G05F1/56 分类 控制；调节;
发明人 乔仕超;刘鑫;武鹏;杨平;牛义;廖志凯;齐旭 申请（专利权）人 成都华微电子科技股份有限公司
代理机构 成都惠迪专利事务所（普通合伙） 代理人 刘勋
地址 610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
法律状态 -

摘要

摘要 带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源，涉及集成电路技术，本发明的带隙基准电路包括：第十六MOS管，其栅端接第五参考点，电流输入端接高电平，电流输出端接第十七MOS管的电流输入端；第十七MOS管，其栅端接第四参考点，电流输出端接基准输出端；第三三极管，其电流输入端接基准输出端，电流输出端接地，基极接第六参考点，基极和电流输入端之间通过一个电容连接；第二三极管，其电流输入端通过第二电阻接基准输出端，基极作为第七参考点连接电流输入端，其电流输出端接地；第一三极管，其电流输入端接第六参考点，基极接第七参考点，电流输出端通过第一电阻接地。本发明能够在宽电源范围内工作，并且具备很高的电源抑制比。