高压低功耗带隙基准电压源
基本信息
| 申请号 | CN202110755846.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113485505A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113485505A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | G05F1/56（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 林亚立;刘鑫旭;齐旭;冯浪;廖志凯;王达海;刘中伟;陈子豪;冯锐 | 申请（专利权）人 | 成都华微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘勋 |
| 地址 | 610000四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 高压低功耗带隙基准电压源，属于电学技术领域。本发明包括一个N沟道JFET，带隙核心电路、反馈电路和启动电路皆连接到N沟道JFET的源极，所述反馈电路用于调节基准带隙电压大小；所述启动电路用于产生一个初始电压用于带隙基准核心电路部分的启动。本发明可以提高整体带隙基准电路的稳定性，产生一个稳定的基准参考电压；整体功耗较小，电流小，采用电阻匹配更加精确。 |
