一种抗辐射晶体管
基本信息
| 申请号 | CN202110803430.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113644054B | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN113644054B | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | H01L23/552（2006.01）I;H01L29/732（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王博;王光磊;袁正刚;王宏;时功权;谈林乖;孟繁新;何静;洪杜桥;王贵 | 申请（专利权）人 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 代理机构 | 贵州派腾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 汪劲松 |
| 地址 | 550018贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种抗辐射晶体管，包括集电区,集电区上生成有基区；基区上生成有发射区A，所述集电区的底部加工有合金层,所述基区上还加工有若干保护环，所述发射区A和保护环上设置有金属层，基区和保护环的上端通过封层封闭。本发明通过控制基区，发射区A和集电区的杂质浓度，使得该晶体管收到辐射时，性能影响较小，当晶体管收到辐射时，由于各个区域的掺杂浓度互相有梯度，辐射给予的能量占比会越低，使得IC和IB的变化率在一定范围内，因此使得放大系数没有太大改变，保证了卫星的正常运作。 |
