一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210504538.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114725189A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114725189A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 | 申请（专利权）人 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 代理机构 | 贵州派腾知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 550018贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积，能够使器件在浪涌模式时可以通过更大的电流，从而使器件的抗浪涌性能得到进一步提高。 |
