一种高集成高可靠IGBT功率模块
基本信息
| 申请号 | CN202122050826.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215680684U | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN215680684U | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | H01L23/538（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孟繁新;王博;陈侃;周斌;江加丽;冉龙玄;张亮 | 申请（专利权）人 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 代理机构 | 贵阳中工知识产权代理事务所 | 代理人 | 杨成刚 |
| 地址 | 550018贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高集成高可靠IGBT功率模块，属于半导体功率模块技术领域。结构包括：金属底板、封装外壳底座、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、4个IGBT芯片、4个二极管芯片、封装外壳管帽，组成H桥电路结构；将2个IGBT芯片、2个二极管芯片按设计布局贴装焊接在左半桥基片上，将另外2个IGBT芯片、2个二极管芯片按设计布局贴装焊接在右半桥基片上；采用键合丝进行相应连接点之间的连线键合；封装外壳底座与封装外壳管帽进行充惰性气体全密封焊接。解决了现有IGBT模块耐高压性能差、组装密度低、散热措施复杂、可靠性低的问题。广泛应用于半导体功率电力器件的封装中。 |
