一种高速场效应晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210468657.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695520A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695520A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/10（2006.01）I;H01L29/205（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/285（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孟繁新;姚秋原;袁强;贺晓金;陆超;王博;岳兰 | 申请（专利权）人 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 代理机构 | 贵州派腾知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 550018贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种高速场效应晶体管及其制备方法，包括衬底，所述衬底上设置有栅极单元与栅极单元两侧分别连接的源极单元、漏极单元，所述栅极单元包括本征GaAs层，本征GaAs层两端上依次覆盖有本征AlGaAs层和N+AlGaAs层,N+AlGaAs层的上端设置有栅极金属层，本征GaAs层的中部设置有P区,P区的下端与衬底接触，P区的上端依次覆盖有氧化层和多晶硅，多晶硅和氧化层的两侧与本征AlGaAs层接触。本发明在栅极、源极、漏极之间形成由AlGaAs和GaAs构成的异质结结构，该结构能够形成薄层N型导电沟道，从而消除了杂质散射的影响；且GaAs相对于Si具有更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动的比硅中更快，此外GaAs也有减小寄生电容和信号损耗的特性，从而有效提升了输出功率和频率。 |
