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复合激光晶体的制备方法

基本信息

申请号 CN202011575239.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112795987A 公开（公告）日 2021-05-14
申请公布号 CN112795987A 申请公布日 2021-05-14
分类号 C30B33/06;C30B33/02;C30B29/28;C30B7/14 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 梁杰通;李兴旺;杨宇;李湧江;芦佳;王永国 申请（专利权）人 北京雷生强式科技有限责任公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 孔德月
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号11所南门
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种复合激光晶体的制备方法，属于激光晶体领域。该方法包括：提供晶种和键合原料，晶种用于形成复合激光晶体的第一层，键合原料用于形成复合激光晶体的第二层，第一层和第二层中的一个作为增益介质层，另一个作为功能支撑层；提供反应釜，反应釜内部具有低温区和高温区，使晶种位于低温区以及使键合原料位于高温区；在矿化剂溶液氛围下，使键合原料溶解并通过矿化剂溶液转移至晶种的键合面上进行生长，在晶种的键合面上形成复合激光晶体的第二层，制备得到复合激光晶体，其界面结合强度高、损耗低，光学质量高。