一种磁光晶体、磁光器件及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010446400.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111621849B | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN111621849B | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | C30B29/12（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;G02F1/09（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李兴旺;梁杰通;杨宇;芦佳;王永国;郑东阳 | 申请（专利权）人 | 北京雷生强式科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 邢少真 |
| 地址 | 100015北京市朝阳区酒仙桥路4号11所南门 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种磁光晶体、磁光器件及制备方法，属于光学晶体领域。该磁光晶体的化学式为KTb（3‑x‑y‑z‑r‑w）YxGdyHozCerPrwF10；其中，0.01≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.3，0≤r≤0.15，0≤w≤0.15。该磁光晶体不仅具有与KTF晶体相当物化性能，例如晶体热性能和光学性能，还具有更高的维尔德常数，获得显著改善的磁旋光特性。另外，由于Y、Gd、Ho、Ce、Pr的氟化物成本均显著低于TbF3，利于降低本发明实施例提供的磁光晶体的成本。 |
