一种高速生长硅基薄膜的低成本方法
基本信息
| 申请号 | CN03103964.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1273641C | 公开（公告）日 | 2006-09-06 |
| 申请公布号 | CN1273641C | 申请公布日 | 2006-09-06 |
| 分类号 | C23C16/24(2006.01);C23C16/50(2006.01) | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 耿新华;赵颍;薛俊明 | 申请（专利权）人 | 金江水力发电集团有限公司 |
| 代理机构 | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 南开大学;昆明铂阳远通光伏设备有限公司 |
| 地址 | 300071天津市卫津路94号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及生长硅基薄膜，尤其是在低温衬底上高速生长优质硅基薄膜的低成本技术，属于薄膜光伏电池与薄膜晶体管等光电子器件技术领域。本发明是克服常规生长硅基薄膜方法中或生长速率慢、或衬底温度高、或离子轰击严重等缺陷，整合其优点。方案是，硅烷等反应气体先经过热丝加热，再输运到施加超高频功率信号电极之间，只需施加较小功率的甚高频信号，使硅烷易充分分解，通过化学气相反应沉积成膜，降低了离子轰击，改善薄膜质量。本发明的有益效果：衬底温度低，便于采用玻璃、塑料等廉价衬底；离子轰击小，薄膜生长速度快(＞50A/s)、性能好；反应气体分解充分，节省原材料，提高生产效率，降低了生产成本。 |
