半导体工艺设备
基本信息
| 申请号 | CN202011196032.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112391597A | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN112391597A | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I; | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 金晨;李建银 | 申请（专利权）人 | 北京七星华创集成电路装备有限公司 |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址 | 101312北京市顺义区天竺综合保税区竺园三街6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备用于对基片进行稀土沉积工艺，其包括：电极组件及进气机构均设置于工艺腔室的顶壁上，并且均沿第一方向延伸布置；进气机构围绕电极组件设置；移动机构设置于工艺腔室内的底部，并且沿第二方向延伸设置，用于承载并带动基片沿第二方向移动，第二方向与第一方向相交；抽气机构设置于工艺腔室的顶壁且与工艺腔室连通，抽气机构位于电极组件的一侧，抽气机构在工艺腔室内具有抽气口，抽气口沿第一方向延伸且靠近进气机构设置，用于使工艺腔室内的工艺气体能够均匀地通过基片表面。本申请实施例实现了在确保镀膜均匀性同时还能大幅提高靶材溅出率，从而大幅降低生产成本。 |
