一种TLC NAND FLASH固态硬盘的写入方法
基本信息
| 申请号 | CN201710262449.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108733318A | 公开（公告）日 | 2018-11-02 |
| 申请公布号 | CN108733318A | 申请公布日 | 2018-11-02 |
| 分类号 | G06F3/06 | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 徐暐淇;苏忠益 | 申请（专利权）人 | 立而鼎科技（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市瑞方达知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 立而鼎科技（深圳）有限公司;深圳市得一微电子有限责任公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种TLC NAND FLASH固态硬盘的写入方法。固态硬盘包括单层式储存单元和三层式储存单元，该方法包括：S1：固态硬盘的主控端发出写入指令，数据被写入SLC数据缓冲区；S2：当数据写满预设数量的单层式储存单元时，下发复制写回指令；S3：将预设数量的单层式储存单元内的数据写入三层式储存单元中；S4：更新三层式储存单元对应的物理对逻辑映像表。通过实施本发明，可加速主控端的数据写入速度，减少读取时间，同时减少固态硬盘垃圾收集的次数，改善固态硬盘的存取效能。 |
