多位单元非易失性内存的写入方法
基本信息
| 申请号 | CN201110100266.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102693754B | 公开（公告）日 | 2015-03-25 |
| 申请公布号 | CN102693754B | 申请公布日 | 2015-03-25 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 黄汉龙;周铭宏 | 申请（专利权）人 | 立而鼎科技（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 擎泰科技股份有限公司;深圳市得一微电子有限责任公司 |
| 地址 | 中国台湾新竹市力行一路10-1号6楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是有关于一种多位单元非易失性内存的写入方法。在一实施例中，读取非易失性内存的目前字线，以得到最高有效位页的第一数据，其中目前字线位于先前字线后，该目前字线读取成功且该先前字线读取失败。设定至少一参考电压。依该参考电压，以第二数据进行目前字线的最高有效位页的二次写入，其中第二数据不同于第一数据。借此在前字线中成功读取正确的数据。 |
