一种高密度细晶粒易成型的W靶材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911336274.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110983264A | 公开（公告）日 | 2020-04-10 |
| 申请公布号 | CN110983264A | 申请公布日 | 2020-04-10 |
| 分类号 | C23C14/34;C23C14/35;B22F3/04;B22F3/15 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 贾倩;丁照崇;李勇军;庞欣;曲鹏;祁钰;曹晓萌;滕海涛 | 申请（专利权）人 | 有研亿金新材料（山东）有限公司 |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 有研亿金新材料有限公司 |
| 地址 | 102200 北京市昌平区超前路33号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种高密度细晶粒易成型的W靶材的制备方法。所述W靶材，采用冷压的方式进行预成型，获得预成型W靶坯，预成型W靶坯的相对密度为60％～70％；然后将预成型的W靶坯进行热等静压烧结致密化，获得致密化W靶坯，所述致密化W靶坯的相对密度为93％～96％；最后将其进行无包套二次热等静压烧结致密化，制得的W靶材的致密度>99％，平均晶粒尺寸<20μm，成品率>95％。所述W靶材易成型开裂的概率低，成品率高，工艺简单易操作，二次热等静压烧结致密化，可降低热等静压过程中的烧结温度，获得晶粒细小的钨靶材。 |
