一种无需灵敏放大器的SRAM体系电路
基本信息
| 申请号 | CN200610058161.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101034585B | 公开（公告）日 | 2010-10-06 |
| 申请公布号 | CN101034585B | 申请公布日 | 2010-10-06 |
| 分类号 | G11C7/00(2006.01)I;G11C8/00(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 林丰成;林昕 | 申请（专利权）人 | 深圳市科铭实业有限公司 |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 天利半导体（深圳）有限公司;深圳市科铭实业有限公司 |
| 地址 | 518067 广东省深圳市南山区沿河路6号佳利泰大厦8楼E座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种无需灵敏放大器的SRAM体系电路，并且提供内部时序电路。SRAM单元采用经典的6管结构，由于预充电电路在读写交替时将位数据线充电到高电位，该SRAM电路的单元的尺寸在读出数据时只需满足能够有效的将一边的电平拉低到地即可，设计尺寸能够同时满足读和写的要求。SRAM工作的时序被由电路中的时序模块来提供。时序电路的输出决定了读写速度，在电路中满足存储器工作所需的时序。 |
