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一种低暗电流的图像传感器像素结构

基本信息

申请号 CN202011431902.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112563298A 公开（公告）日 2021-03-26
申请公布号 CN112563298A 申请公布日 2021-03-26
分类号 H01L27/146(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈多金;旷章曲;王菁;张帅;孙伟;刘志碧;陈杰 申请（专利权）人 上海韦尔半导体股份有限公司
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人 郑立明;赵镇勇
地址 201210上海市浦东新区上科路88号豪威科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低暗电流的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的感光二极管、负电荷固定介质层、悬浮漏区、传输管栅极及其侧墙。负电荷固定层由一种高介电常数(k)的氧化层组成，高k值的氧化层可以是Al2O3、HfO2及其Ta02等材料，高k值氧化层将淀积于PD硅表面及其传输栅下面的硅表面，直接与硅表面接触形成Si‑O界面。高k值氧化层将在Si‑O界面产生束缚电子的界面能，界面能有效地束缚了光电二极管表面及其传输管沟道的不饱和悬挂键及其缺陷所产生的电子，从而有效的减低了暗电流。