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CIS芯片深阱设计方法与制作工艺方法

基本信息

申请号 CN202110554280.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113270436A 公开（公告）日 2021-08-17
申请公布号 CN113270436A 申请公布日 2021-08-17
分类号 H01L27/146（2006.01）I;H01L21/033（2006.01）I;G03F1/00（2012.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 伍建华;旷章曲;陈多金;王菁;龚雨琛;张帅;徐冰;刘志碧;陈杰 申请（专利权）人 上海韦尔半导体股份有限公司
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人 郑立明;韩珂
地址 201210上海市浦东新区上科路88号豪威科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种CIS芯片深阱设计方法与制作工艺方法，将原来pitch大小为A的DPW设为光罩DPW1，将光罩DPW1图案沿X方向和Y方向各移动A/2得到图案设为光罩DPW2,然后两块光罩图形重叠即得到pitch为A/2的图案；在制作工艺中，在一次曝光过程中先用光罩DPW1进行曝光，然后用光罩DPW2进行曝光，再进行烘烤和显影处理，最终得到pitch为A/2的图形。同时在光罩中的特殊设计不但能得到较好的图形形貌，而且还保证了DPW1图形和DPW2相互间的对准以及它们对于前层的对准，并且可以降低工艺难度，得到较好形貌的目标图案。