高性能图像传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110389664.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113113438A | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN113113438A | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王箐;旷章曲;陈多金;孙伟;田晓川;龚雨琛;伍建华;刘志碧;陈杰 | 申请（专利权）人 | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址 | 201210上海市浦东新区上科路88号豪威科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能图像传感器及其制备方法，像素结构使用沟槽式通孔连接上、下两层金属，该沟槽式通孔与上层金属形成与像素大小相同的网格，作为金属遮蔽结构。在下层金属制程之后，沉积一层SiN衬底，作为像素区的沟槽式通孔和逻辑区的金属孔的终止层；在孔刻蚀制程过程最后增加一步对SiN具有高选择比的蚀刻工艺，使沟槽式通孔和金属孔既与下层金属链接，又停留在介质氧化层上，形成金属遮蔽；之后，在沟槽式通孔上溅射上层金属，并通过光刻形成相同宽度的金属遮蔽结构。可以减小在进行光通道蚀刻过程中等离子体对硅表面的损伤，减小暗电流和噪声。同时，金属遮蔽结构可以将斜入射光折射到像素单元表面，减小串扰。 |
