低PLS全局快门像素结构及其驱动时序控制方法

基本信息

申请号 CN202110553168.5 申请日 -
公开(公告)号 CN113271419A 公开(公告)日 2021-08-17
申请公布号 CN113271419A 申请公布日 2021-08-17
分类号 H04N5/359(2011.01)I 分类 电通信技术;
发明人 龚雨琛;旷章曲;陈多金;王菁;伍建华;张帅;徐冰;刘志碧;陈杰 申请(专利权)人 上海韦尔半导体股份有限公司
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人 郑立明;韩珂
地址 201210上海市浦东新区上科路88号豪威科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低PLS全局快门像素结构及其驱动时序控制方法,通过结构上的改进配合相应的驱动时序控制方案,可以在读出过程中消除曝光时的寄生电子,可有效提升全局像素快门效率。相比于传统全局快门像素结构,本发明可有效抑制像素PLS效应,且像素结构与工作时序简单,兼顾较大的填充因子与非一致性噪声抑制。