一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法
基本信息
| 申请号 | CN202110185932.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112906334A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112906334A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | G06F30/367 | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 方镇东;诸舜杰;钟添宾 | 申请（专利权）人 | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳睿臻知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张海燕 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供了一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法，包括，电压控制电压源，第一MOSFET，第二MOSFET，第一电阻，第二电阻，第一电容，第二电容和二极管；本申请提供的技术方案基于电流电压方程的参数拟合，结合SPICE仿真技术，实现一种精度高、速度快、符合器件物理特性的SPICE宏模型，该模型适用于沟槽型MOSFET器件，兼容各种SPICE仿真器，提高了仿真精确度与速度，缩短了电源器件设计周期。 |
