首页/ 上海韦尔半导体股份有限公司/ 专利详情

一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构

基本信息

申请号 CN202011413537.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112530986A 公开（公告）日 2021-03-19
申请公布号 CN112530986A 申请公布日 2021-03-19
分类号 H01L27/146(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈多金;旷章曲;王菁;张帅;孙伟;刘志碧;陈杰 申请（专利权）人 上海韦尔半导体股份有限公司
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人 郑立明;赵镇勇
地址 201210上海市浦东新区上科路88号豪威科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的感光元件、浅槽隔离、浅槽隔离区的复合注入层、介质层、接触孔以及置于正面绝缘介质中的金属互连线。在相邻的感光器件之间的浅槽隔离区形成一层复合注入层，复合注入层包含高浓度低能量N型掺杂、低浓度高能量N型多步掺杂以及低浓度中能量P型多步掺杂，复合注入层形成有效的浓度梯度并通过接触孔连接到外部偏压或电源上，复合注入层通过外部偏压形成的电场并在此电场的驱动下，不仅消除了来自衬底串扰的电子，而且也吸收了在浅槽隔离与硅基界面所产生的暗电流。