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双层式双芯片装载区IGBT封装装置

基本信息

申请号 CN202121037016.1 申请日 -
公开（公告）号 CN214797381U 公开（公告）日 2021-11-19
申请公布号 CN214797381U 申请公布日 2021-11-19
分类号 H01L23/13（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 黄昌民;谷岳生;张站东 申请（专利权）人 无锡德力芯半导体科技有限公司
代理机构 北京睿博行远知识产权代理有限公司 代理人 张燕平
地址 214000江苏省无锡市新华路8号（9号厂房）
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种双层式双芯片装载区IGBT封装装置，涉及封装装置技术领域。本实用新型包括IGBT本体，IGBT本体的内部开设有第一槽道，第一槽道的内部装设有放置板、第一芯片托盘、第二芯片托盘，第二芯片托盘和第一芯片托盘之间螺纹配合有四个螺纹杆。本实用新型通过在IGBT本体内部装设用于调节第一芯片托盘、第二芯片托盘的螺纹杆，便捷了对芯片的放置、取出，皮带的设置，实现了一螺纹杆对第一芯片托盘、第二芯片托盘进行调节的效果，使得对第一芯片托盘、第二芯片托盘调节的过程更加便捷，把第一芯片托盘、第二芯片托盘设置成上下两层，在安装时可以节约空间，便捷了对第一芯片托盘、第二芯片托盘进行取出并放置芯片。