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一种功率半导体器件封装结构

基本信息

申请号 CN202121819598.9 申请日 -
公开（公告）号 CN215451395U 公开（公告）日 2022-01-07
申请公布号 CN215451395U 申请公布日 2022-01-07
分类号 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/473（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 黄昌民 申请（专利权）人 无锡德力芯半导体科技有限公司
代理机构 北京睿博行远知识产权代理有限公司 代理人 张燕平
地址 214000江苏省无锡市新华路8号（9号厂房）
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种功率半导体器件封装结构，涉及功率半导体器件技术领域。本实用新型包括密封下盖，密封下盖的顶部安装有密封上盖，且密封上盖与密封下盖滑动连接；密封上盖的内部安装有用于功率半导体器件散热的散热机构；密封上盖与密封下盖之间通过安装机构连接；密封下盖的两侧均安装有引脚，用于与外界进行电连，密封上盖的底部固定有限位框，密封下盖的内部开设有滑动槽。本实用新型通过安装机构，使得密封上盖与密封下盖能够更快的进行安装，进而使得功率半导体器件能够便捷的进行封装，通过散热机构，能够更好的将密封上盖和密封下盖内部的热量排出，避免热量过高造成功率半导体的损坏。