采用类金刚石修饰人工晶体的方法
基本信息
| 申请号 | CN00122852.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1340637A | 公开（公告）日 | 2002-03-20 |
| 申请公布号 | CN1340637A | 申请公布日 | 2002-03-20 |
| 分类号 | C30B29/04;A61L27/08;A61F2/16 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 顾汉卿 | 申请（专利权）人 | 天津泰达生物医学工程股份有限公司 |
| 代理机构 | 天津市专利事务所 | 代理人 | 张国庆;王融生 |
| 地址 | 300457天津市经济技术开发区第五大街泰华路12号7楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 采用类金刚石修饰人工晶体的方法是在高真空等离子体加速气相沉积的条件下,在低温5～80℃,载能离子束辅助沉积的作用下,使碳原子的SP2向SP3转化而形成类金刚石结构。结构测定证实,SP3成分的存在。结果证实各项测定指标均与PMMA IOL有显著性差异,生物相容性优于PMMA IOI,表面硬度是PMMA IOL的10倍,且亲水、颜色微黄至微褐色。加工成本低。 |
