一种用于改进谐波的射频开关电路
基本信息
| 申请号 | CN202110972441.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113572467A | 公开（公告）日 | 2021-10-29 |
| 申请公布号 | CN113572467A | 申请公布日 | 2021-10-29 |
| 分类号 | H03K17/687（2006.01）I;H03K17/10（2006.01）I;H03K17/16（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 沈宇;管剑铃;谢婷婷;王玉娇;周德杭;倪成东;倪文海;徐文华 | 申请（专利权）人 | 上海迦美信芯通讯技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海创开专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李兰兰 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区郭守敬路498号6幢9101-9104室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于改进谐波的射频开关电路，涉及射频集成电路技术领域。本发明包括：串联支路模块：包括2N个第一开关晶体管、第一源漏电阻、栅极偏置电阻、体区偏置电阻，2N‑1个第一栅极串联电阻、体区串联电阻，一个第一栅极公共端电阻、体区公共端电阻；并联支路模块：包括2M个第二开关晶体管、偏置晶体管、第二源漏电阻、第二栅极偏置电阻，2M‑1个第二栅极串联电阻以及1个第二栅极公共端电阻。本发明提高了射频开关各级堆叠管的耐压均匀性、谐波性能以及射频开关的最大输入功率，同时串联支路的栅极偏置电压VG1与中间的第N级相连、体区偏置电压VG2与中间的第N级相连满足了多场景的应用模式。 |
