一种制造硅片绒面的方法

基本信息

申请号 CN201110069158.0 申请日 -
公开(公告)号 CN102157628B 公开(公告)日 2013-01-09
申请公布号 CN102157628B 申请公布日 2013-01-09
分类号 G02B1/11(2006.01)I 分类 光学;
发明人 解柔强;高鹏 申请(专利权)人 中弘光伏股份有限公司
代理机构 马鞍山市金桥专利代理有限公司 代理人 阮爱农
地址 243000 安徽省马鞍山市南部承接产业转移集中区马鞍山优异光伏有限公司
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种制造硅片绒面的方法,其具体步骤如下:(1)利用水膜方式或者印刷方式在硅片上形成含有聚苯乙烯微粒的掩膜层:(2)利用等离子刻蚀方法对已有掩膜层的硅片进行刻蚀,形成特定的减反结构;(3)去除硅片表面剩余的掩膜层物质。本方法为非化学方法,它杜绝了酸碱类化学物质的大量使用,保护了生态环境。本方法不受单晶、多晶限制,单晶硅和多晶硅都可利用本方法制造绒面,从而降低反射率,使硅片尽可能多地吸收太阳光,从而增加太阳能电池的转换效率。